[发明专利]半导体基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200480042616.X | 申请日： | 2004-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN1926667A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 八重樫铁男;永井孝一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/66;H01L21/8239;H01L27/105 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体基板，其由以下部分构成：晶片；第一台阶结构，其由以第一面积率形成在上述晶片的表面上的多个台阶部构成；第二台阶结构，其由以不同的第二面积率形成在上述表面上的多个台阶部构成；层间绝缘膜，其以覆盖上述第一及第二台阶结构的方式形成在上述表面上，并具有平坦表面，在上述表面上，至少具有被上述层间绝缘膜所覆盖的第一及第二膜厚监控图案，在上述表面上以包围上述第一膜厚监控图案的方式形成有由其他的多个图案构成的第一图案组，并在上述表面上，以包围上述第二膜厚监控图案的方式形成有由其他的多个图案构成的第二图案组，在上述表面上，上述第一膜厚监控图案及上述第一图案组具有第三面积率，上述第二膜厚监控图案及上述第二图案组具有第四面积率，上述第三面积率和上述第四面积率互不相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基板，由如下构成：晶片；第一台阶结构，其由以第一面积率形成在上述晶片的表面上的多个台阶部构成；第二台阶结构，其由以不同的第二面积率形成在上述表面上的多个台阶部构成；层间绝缘膜，其以覆盖上述第一及第二台阶结构的方式形成在上述表面上，并具有平坦表面，其特征在于，在上述表面至少具有被上述层间绝缘膜所覆盖的第一及第二膜厚监控图案，在上述表面上以包围上述第一膜厚监控图案的方式形成有由其他的多个图案构成的第一图案组，在上述表面上以包围上述第二膜厚监控图案的方式形成有由其他的多个图案构成的第二图案组，在上述表面上，上述第一膜厚监控图案及上述第一图案组具有第三面积率，上述第二膜厚监控图案及上述第二图案组具有第四面积率，上述第三面积率和上述第四面积率互不相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
