[发明专利]压电单晶元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200480042913.4 | 申请日： | 2004-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1943054A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 松下三芳 | 申请（专利权）人： | 杰富意矿物股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;H01L41/22;C04B35/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能够稳定地得到横向振动模式的机电偶合系数k31为60％以上的压电单晶元件及其制造方法。具体而言，在以极化方向(3)为假立方晶系的[110]轴时，压电元件端面10c的法线方向(1)在包含与极化方向大致正交的方向即[001]轴且在该[001]轴±35°的角度范围内，与极化方向(3)正交的方向即横向振动模式的机电偶合系数k31为60％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种压电单晶元件，其中，在以极化方向作为假立方晶系的[110]轴时，压电元件端面的法线方向包含与极化方向大致正交的方向即[001]轴且在该[001]轴±35°的立体角的角度范围内，与极化方向正交的方向即横向的振动模式的机电偶合系数k31为60％以上。
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