[发明专利]高电容量的电解电容器箔、其制造方法以及电解电容器无效
申请号: | 200480042983.X | 申请日: | 2004-03-08 |
公开(公告)号: | CN1954396A | 公开(公告)日: | 2007-04-25 |
发明(设计)人: | 亨德里克·阿瑞恩·波斯特;亚历山大·赫拉德·丹尼尔·雷克斯 | 申请(专利权)人: | 维世-BC元件公司 |
主分类号: | H01G9/04 | 分类号: | H01G9/04;C25F3/04;H01G9/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 韩宏 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 公开了具有芯层(11)、至少一个第一多孔层(12;13)以及多孔表面层(16;17)的电容器箔(10)、其制造方法以及电解电容器。所述至少一个第一多孔层(12;13)和多孔表面层(16;17)的多孔是第一蚀刻工艺步骤的结果。所述方法包括至少一个另外的蚀刻步骤,其中,将在所述至少一个多孔层(12;13)和多孔表面层(16;17)中的所述第一蚀刻工艺步骤的蚀刻液改变或者替换为具有低蚀刻能力的填充物质,至少对箔(10)的多孔表面层(16;17)进行进一步蚀刻,以增加多孔表面层(16;17)的孔隙率,以及将所述填充物质从箔(10)中移走。 | ||
搜索关键词: | 容量 电解电容器 制造 方法 以及 | ||
【主权项】:
1、用于电解电容器的箔(10),具有基本实心的芯层(11)、靠近芯层(11)并具有不规则形成的孔的网的第一多孔层(12;13)以及靠近第一多孔层(12;13)的多孔表面层(16;17),该箔(10)采用直流脉冲蚀刻工艺制造,其特征在于:该多孔表面层(16;17)的孔隙率值大于采用一步直流脉冲蚀刻工艺制造的箔的表面层的孔隙率值。
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