[发明专利]半导体存储器有效
| 申请号： | 200480043013.1 | 申请日： | 2004-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1954389A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 西村幸一;池增慎一郎 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/403 | 分类号： | G11C11/403;G11C11/409 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵淑萍 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 预充电电压生成电路根据周围温度输出多种预充电电压的某一种。预充电电路在动态存储器单元的非存取过程中，将预充电电压提供给位线。读出放大器对从动态存储器单元读取到位线上的数据信号的电压和所供给的预充电电压的差进行放大。通过根据周围温度来改变预充电电压，能够改变读出放大器的读出余量，并能够改善存储器单元的数据保持时间的最差值。其结果是，能够降低存储器单元的刷新频率，并能够减小电能消耗以及待机电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，其特征在于，包括：动态存储器单元；与所述动态存储器单元连接的位线；预充电电压生成电路，根据周围温度输出多种预充电电压的某一个；预充电电路，在所述动态存储器单元的非存取过程中，将从所述预充电电压生成电路供给的预充电电压提供给位线；读出放大器，对从所述动态存储器单元读取到所述位线上的数据信号的电压和所供给的预充电电压的差进行放大。
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