[发明专利]纳米晶体金刚石薄膜、其制造方法及使用纳米晶体金刚石薄膜的装置无效
| 申请号： | 200480043161.3 | 申请日： | 2004-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1957116A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 蒲生秀典;安藤寿浩 | 申请（专利权）人： | 凸版印刷株式会社;独立行政法人物质·材料研究机构 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/02;C23C16/27 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 程大军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种在基体上合成的纳米晶体金刚石薄膜，该薄膜包含晶粒直径为1nm～小于1000nm的纳米晶体金刚石作为其主要成分。可以使用含有烃和氢的原料气体通过等离子体CVD方法在基体上形成纳米晶体金刚石薄膜，使纳米晶体金刚石薄膜的形成发生在等离子体区域的外面。该纳米晶体金刚石薄膜可用于制造电化学器件、电化学电极、DNA芯片、有机场致发光器件、有机光电接收器件、有机薄膜晶体管、冷电子发射器件、燃料电池和催化剂。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 晶体 金刚石 薄膜 制造 方法 使用 装置 | ||
【主权项】：
1.一种纳米晶体金刚石薄膜，该薄膜是在基体上合成的，并包含晶粒直径为1nm～小于1000nm的纳米晶体金刚石作为主要成分。
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