[发明专利]原料喷射式高效率碳纳米结构体制造方法及装置无效
| 申请号： | 200480043227.9 | 申请日： | 2004-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1960942A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 中山喜万;长坂岳志;坂井彻;林健;土屋宏之;李旭;野坂俊纪 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构;公立大学法人大阪府立大学;大阳日酸株式会社;日新电机株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;D01F9/127 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 开发减少焦油状副生成物的产生、而且高效率地生成碳纳米结构体的碳纳米结构体的制造方法及装置。本发明的原料喷射式高效率碳纳米结构体制造装置(2)由下述构成：在反应管(4)内配置催化体(12)，设置加热该催化体(12)近旁至碳纳米结构体(14)的生成温度区间的加热装置，设置向反应管(4)内导入原料气体的原料气体供给管(8)，配置该供给管顶端(8a)接近催化体(12)，另外，预热原料气体供给管(8)至从原料气体不生成焦油状生成物的温度区间的预热装置9。在原料气体供给管中不生成焦油状物质，跳过中间温度而一下子向催化体喷射原料气体，所以反应概率增大、碳纳米结构体的生成收率增大。原料气体的大部分被消耗，在反应管(4)内不生成焦油状物质。 | ||
| 搜索关键词： | 原料 喷射式 高效率 纳米 结构 体制 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种原料喷射式高效率碳纳米结构体制造方法，是利用催化化学气相生长法从原料气体制造碳纳米结构体的方法，其特征在于，在加热到碳纳米结构体的生成温度区间的空间内，以与催化体接触的方式喷射处于不生成焦油状副生成物的温度区间的原料气体，生成碳纳米结构体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于独立行政法人科学技术振兴机构;公立大学法人大阪府立大学;大阳日酸株式会社;日新电机株式会社，未经独立行政法人科学技术振兴机构;公立大学法人大阪府立大学;大阳日酸株式会社;日新电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480043227.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图像显示设备的存储器固定座防震结构
- 下一篇：角焊后定位装置
