[发明专利]非易失性半导体器件及非易失性半导体器件的擦除动作不良自动救济方法有效
申请号: | 200480043290.2 | 申请日: | 2004-04-21 |
公开(公告)号: | CN101006520A | 公开(公告)日: | 2007-07-25 |
发明(设计)人: | 新后将城 | 申请(专利权)人: | 斯班逊有限公司;斯班逊日本有限公司 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00;G11C16/06 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 戈泊;程伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明是事先将预备区块预设为空白状态,在每次实际使用的擦除操作时,将擦除脉冲数进行计数,且监视在擦除脉冲供给中有无产生过电流,并将发生了长时间擦除不良的一般区块自动切换至预备区块,如此,无须于自动备份至预备区块后对预备区块进行再擦除动作,而可救济长时间擦除的不良。 | ||
搜索关键词: | 非易失性 半导体器件 擦除 动作 不良 自动 救济 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,具备有:正规区块,可电性擦除/写入;用于备份所述正规区块的预备区块,可电性擦除/写入;解码器,响应输入的擦除指令来选择所述正规区块;监视电路,在擦除动作中,监视所述正规区块的擦除特性;以及控制电路,当所选择的正规区块具有已劣化的擦除特性时,自动选择所述预备区块以取代所述所选择的正规区块,并且所述预备区块在所述自动选择前的初始状态中被设为擦除状态。
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