[发明专利]形成纳米多孔介电薄膜的方法有效
申请号: | 200480043298.9 | 申请日: | 2004-06-10 |
公开(公告)号: | CN1968998A | 公开(公告)日: | 2007-05-23 |
发明(设计)人: | J·Q·牛;J·L·哈恩费尔德;J·W·莱昂斯;J·H·塞东;C·H·西尔维斯 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术公司 |
主分类号: | C08J9/26 | 分类号: | C08J9/26;C08L65/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种方法,该方法包括通过以下方式形成包括基质前体材料、成孔材料和溶剂的涂料溶液:选择聚亚芳基聚合物基质前体材料,该基质前体材料交联形成具有至少0.003摩尔/毫升计算交联部分密度的基质;和将该聚亚芳基聚合物基质前体材料与线性低聚物或聚合物的成孔材料反应,所述线性低聚物或聚合物是由包括烯基或炔基官能单体的单体形成的,该低聚物或聚合物具有反应性末端基和小于约5000的重均分子量,其中成孔材料以约10到小于50重量%的量存在,以多孔材料和基质前体材料的总重量计。 | ||
搜索关键词: | 形成 纳米 多孔 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成纳米多孔膜的方法,包括:通过以下方式形成包括基质前体材料、成孔材料和溶剂的涂料溶液:选择聚亚芳基聚合物基质前体材料,该基质前体材料交联形成具有计算交联部分密度(XLMD)至少为0.003摩尔/毫升的基质;和使该聚亚芳基聚合物基质前体材料与线性低聚物成孔材料反应,所述线性低聚物成孔材料是由包括烯基或炔基官能单体的单体形成的,该线性低聚物具有反应性末端基和通过具有聚苯乙烯标准的筛析色谱法测量时小于5000的重均分子量,其中成孔材料以约10到小于50重量%的量存在,以成孔材料和基质前体材料的总重量计;将该涂料溶液施加到基材上并除去该溶剂形成膜;对该膜施加能量以使该基质前体材料交联并除去成孔材料以形成平均孔径小于4nm的孔。
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