[发明专利]三维微制造方法及高密度三维精细结构

摘要

用控制在任意电子束直径和电流密度的电子束辐照在包括简单物质GaAs和InP的Al_xGa_yIn_1－x－yAs_zP_1－z (0≤x＜1，0≤y和z≤1)衬底的表面上形成的薄膜的表面，以使在GaAs表面上形成的任何自然氧化物膜经历选择性的Ga₂O₃替代或形成。随后，将所述衬底的温度调整到给定的温度，以便在除了Ga₂O₃替代的区域以外的区域中实现所述自然氧化物膜的脱离。通过分子束外延生长技术，在其自然氧化物膜脱离侧的衬底上进行III－V族化合物半导体晶体的选择性生长，从而实现衬底密度的提高。因此，可以实现具有沿着晶体生长方向纳米量级均匀的晶体膜厚度的电路图形的在位形成。

主权项

1.一种三维极精细构图方法，包括以下步骤：制备包括AlxGayIn1-x-yAszP1-z(0≤x＜1，0≤y，z≤1)的III-V族化合物半导体衬底；将其电流密度由束的直径控制的电子束投射在所述衬底表面上，从而用III族氧化物选择性地替代在所述衬底表面上形成的自然氧化物或者选择性地形成III族氧化物；将所述衬底的温度提高到预定温度，以允许除了被替代的或形成的部分以外的部分从所述衬底表面脱离；以及通过采用固体生长材料的分子束外延方法，允许在所述自然氧化物剥离侧上，尤其在被所述III族氧化物替代的部分上或在除了被所述III族氧化物替代的部分以外的区域上，选择性晶体生长III-V族化合物半导体。