[发明专利]非易失性可编程存储器无效
| 申请号： | 200480043484.2 | 申请日： | 2004-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN1977337A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | C·J·舍瓦利耶;W·I·金尼;S·W·龙科尔;D·里纳森;J·E·小桑切兹;P·斯沃布;E·R·沃德 | 申请（专利权）人： | 统一半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种存储器(3700)。存储器包括非易失性存储单元阵列(3720)，每个存储单元包括两端子存储器插塞，存储器插塞在施加第一写电压脉冲时从第一电阻状态切换到第二电阻状态，并且在施加第二写电压脉冲时，相反地从第二电阻状态切换到第一电阻状态。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 可编程 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，包括：非易失性存储单元阵列，每个存储单元包括两端子存储器插塞，所述存储器插塞在施加第一极性的第一写电压时从第一电阻状态切换到第二电阻状态，并且可逆地在施加极性与第一极性相反的第二写电压时从第二电阻状态切换到第一电阻状态；控制总线，它承载表示期望读操作还是写操作的信号；地址总线，它承载表示特定存储单元或者特定存储单元组的信号；数据总线，它承载表示与所述特定存储单元或者所述特定存储单元组有关的信息的信号；外围电路，它对所述地址总线上的信号解码，并且如果所述控制总线承载表示写操作的信号，则将所述特定存储单元或者选择的存储单元特定组置于对应于所述数据总线上的信号的电阻状态；以及如果所述控制总线承载表示读操作的信号，则将所述数据总线上的信号设置为对应于选择的存储单元或者选择的存储单元组的电阻状态。
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