[发明专利]制造半导体集成电路器件的方法

摘要

在使用第一研磨材料(例如，抛光细粉的离子尺寸从#320至#360)对半导体晶片的背表面执行粗研磨，并且将半导体晶片的厚度制成例如小于140μm，小于120μm或小于100μm之后，使用第三研磨材料(例如，抛光细粉的微粒尺寸从#3000至#100000)对半导体晶片的背表面执行精细研磨，半导体晶片的厚度例如变成小于100μm，小于80μm或小于60μm，并且在半导体晶片的背表面上形成厚度小于0.5μm，小于0.3μm或小于0.1μm的第二破碎层。从而，在没有减小芯片的管芯强度下，同时防止污染杂质从半导体晶片的背表面的渗入，并且还防止污染杂质对半导体晶片的电路形成表面的扩散，而且防止半导体晶片的不良特性。

主权项

1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括步骤：(a)在具有第一厚度的半导体晶片的第一主表面之上，形成电路图案；(b)使用具有固定磨料的第一研磨材料，通过对所述半导体晶片的第二主表面进行研磨，将所述半导体晶片制成为具有第二厚度；(c)使用具有固定磨料的第三研磨材料，该第三研磨材料的微粒直径比所述第一研磨材料的微粒直径小，通过对所述半导体晶片的所述第二主表面进行研磨，将所述半导体晶片制成为具有第四厚度，并且在所述半导体晶片的所述第二主表面中形成第二破碎层；以及(d)通过切割所述半导体晶片，将所述半导体晶片个别地分成芯片；其中所述第三研磨材料的抛光细粉的微粒尺寸是#3000至#100000。