[发明专利]确保沉积工艺中荫罩板与基板准确配准的系统和方法无效
| 申请号： | 200480043699.4 | 申请日： | 2004-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1998073A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·彼得·布罗迪 | 申请（专利权）人： | 阿德文泰克全球有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱登河;王珍仙 |
| 地址： | 英属维尔京*** | 国省代码： | 维尔京群岛;VG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沉积系统，它使用相同的低热膨胀系数(CTE)材料，例如在0～200℃的范围内具有低于10ppm/℃的CTE的材料，形成荫罩板以及在其上进行沉积的基板，以克服高温沉积工艺的热效应，从而确保所述荫罩板和所述基板具有一致的膨胀和收缩率。 | ||
| 搜索关键词： | 确保 沉积 工艺 中荫罩板 准确 系统 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在基板上形成结构的方法，包括：(a)提供基板，该基板包括覆盖在基层上的介电层；(b)提供至少一个沉积室，并且每个沉积室具有材料沉积源，该材料沉积源被设置为与荫罩板相对并彼此隔开，该荫罩板用与所述基层相同的材料制成并具有至少一个穿透的开口；(c)将所述基板的至少一部分设置在所述沉积室中与所述材料沉积源相对的所述荫罩板的一侧上，使所述介电层面向所述荫罩板而所述基层背离所述荫罩板；和(d)在所述沉积室为真空的情况下，通过穿透荫罩板的所述至少一个开口，将来自所述沉积室中的所述材料沉积源的材料，沉积到所述沉积室中的基板的所述部分的介电层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿德文泰克全球有限公司，未经阿德文泰克全球有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480043699.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可显示的投币箱
- 下一篇：一种浴池热回收加热装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
