[发明专利]非易失性存储装置以及用于该存储装置的擦除方法有效
| 申请号： | 200480043810.X | 申请日： | 2004-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101023497A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 田冈英穗;铃村嘉裕;平野幹児;川本悟 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司;斯班逊日本有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在擦除步骤过程期间，预编程操作(S1)之后，擦除操作(S3)以及APDE操作(S5)通过APDE检查操作(S6：P)而执行与确认，且由擦除检查操作的确认(S7：P)而完成，步骤A在多个存储单元的软编程操作(S10)之前执行。继续执行一种仿存储单元编程操作(S8)，直到仿存储单元编程检查操作(S9)确认编程操作已完成。通过在仿存储单元的程序操作的执行，通过位线施加相似于程序操作的电压应力于过擦除态的存储单元上。因此，释放过擦除态藉以降低行漏出电流。在软编程检查操作(S11)期间，可以阻止错误识别，也可以避免过度软编程。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 以及 用于 擦除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储装置的数据擦除方法，通过预定数目的数据输入/输出端子而连接多个电性可重写存储单元至该非易失性存储装置，该数据擦除方法包括以下步骤：在多个存储单元上执行擦除操作；以及在擦除操作后，施加与编程操作有关的偏压到数据输入/输出端子，而不对特定存储单元连续执行编程操作。
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