[发明专利]具有隔离区的用于DRAM单元的半导体结构和制造方法有效
| 申请号： | 200480043863.1 | 申请日： | 2004-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101010799A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | R·W·钱斯;G·哈勒;S·D·唐;S·卡明斯 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明包括包含垂直延伸的柱状物(80，82)的半导体结构和用于形成这种结构的方法。垂直延伸的柱状物可以被并入晶体管器件(80，95)中并且可以包括晶体管器件的垂直延伸的沟道区。晶体管器件可以被并入集成电路，并且在一些方面中被并入存储器结构例如动态随机存取存储器(DRAM)结构中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔离 用于 dram 单元 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，包括：提供半导体衬底，该衬底包括在单晶半导体材料内延伸的多个沟槽隔离区，这些隔离区通过包括单晶半导体材料的第一区彼此隔开；以及将单晶半导体材料图案化成在第一区内的多个柱状物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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