[发明专利]根据避免气泡形成和限制粗糙度的条件来进行共注入步骤的薄层转移方法

摘要

本发明提出一种转移薄层的方法，其中进行两种不同种类的共注入步骤。选择所述第一和第二种类的注入能量以使所述第二种类峰位于所述脆变区内的施主衬底厚度中并且比所述第一种类散布区更深，并且选择所述第一和第二种类的注入剂量为基本上相似，第一种类注入剂量占总注入剂量的40％至60％。

主权项

1.一种用于制造包含衬底上的半导体材料薄层的结构的方法，包括以下步骤：·在必须制作薄层的施主衬底的面下执行至少两种不同种类的共注入，以在施主衬底的厚度中生成脆变区，·在进行注入之后，使施主衬底的该面紧密接触支撑衬底，·在脆变区的水平面分离施主衬底，以将施主衬底的一部分转移到支撑衬底上并在支撑衬底上形成薄层，注入至少第一种类，基本上化学地用于在施主衬底中形成小板状缺陷，注入至少第二种类，基本上物理地用作所注入施主衬底中的内压源，用于在所述缺陷中提供应力，所述第一和第二种类中的每一种根据呈现出散布区的再分配剖面分别分布在施主衬底的厚度中，在所述散布区中种类主要地分布并且呈现出最大浓度峰，该方法的特征在于，根据共注入条件进行所述共注入步骤，根据所述共注入条件：-选择所述第一和第二种类的注入能量，以使所述第二种类峰位于所述脆变区内的施主衬底厚度中并且比所述第一种类散布区更深，-选择所述第一和第二种类的注入剂量为基本上相似，第一种类注入剂量占总注入剂量的40％至60％。