[发明专利]具有对要键合表面的处理的转移方法有效
| 申请号： | 200480044032.6 | 申请日： | 2004-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101027769A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | S·凯尔迪勒;C·马勒维尔;F·勒泰特;O·雷萨克 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于将一层材料从顶施主晶片10转移到接收操作晶片20上的方法，该顶晶片和接收晶片包含各自的要键合的表面，该方法包括：用于处理要键合的至少一个表面的处理步骤，对晶片的给定表面的该处理在所述晶片的相反表面上产生污染；用于直接键合顶晶片和操作晶片的要键合的表面的键合步骤，以形成中间多层晶片30；用于从顶晶片移除多余材料的移除步骤，该方法的特征在于，在处理步骤期间，仅处理顶晶片的要键合的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 要键合 表面 处理 转移 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于将一层材料从顶施主晶片(10)转移到接收操作晶片(20)上的方法，该顶晶片和接收晶片包含各自的要键合的表面，该方法包括：·用于处理要键合的至少一个表面的处理步骤，对晶片的给定表面的该处理在所述晶片的相反表面上产生污染，·用于直接键合顶晶片和操作晶片的要键合的表面的键合步骤，以形成中间多层晶片(30)，·用于从顶晶片移除多余材料的移除步骤，该方法的特征在于，在处理步骤期间，仅处理顶晶片的要键合的表面。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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