[发明专利]通过实施共注入获得薄层的方法和随后的注入

摘要

本发明提出一种通过SMARTCUT^TM型工艺转移衬底上的半导体材料薄层的方法，该方法的特征在于该注入步骤包括：第一注入操作，在于执行种类的注入以在施主衬底的厚度中在第一深度处生成脆变区；第二注入操作，在于根据选择的第二注入条件执行种类的注入，以在不同于所述第一深度的第二深度处从而使得不影响必须在所述第一深度的脆变区水平面处发生的分离，生成吸杂区，所述吸杂区防止在所述第一注入操作期间所注入的种类朝着其下执行了注入的施主衬底的所述面扩散，由此限制气泡形成。

主权项

1.一种用于制造包含衬底上的半导体材料薄层的结构的方法，包括以下步骤：·在必须制作薄层的施主衬底的面下执行种类的注入，以在施主衬底的厚度中生成脆变区，·在进行注入之后，使施主衬底的该面紧密接触支撑衬底，·在脆变区的水平面分离施主衬底，以将施主衬底的一部分转移到支撑衬底上并在支撑衬底上形成薄层，其特征在于该注入步骤包括：·第一注入操作，在于执行种类的注入以在施主衬底的厚度中在第一深度处生成所述脆变区，·第二注入操作，在于根据选择的第二注入条件执行种类的注入，以生成：-在不同于所述第一深度的第二深度处，以便不影响必须发生在所述第一深度的脆变区水平面处的分离，-吸杂区，防止在所述第一注入操作期间注入的种类朝着其下执行了注入的施主衬底的所述面扩散，由此限制气泡形成。