[发明专利]用于电子器件的低成洞性非流动助熔底部填充剂无效
| 申请号： | 200480044156.4 | 申请日： | 2004-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101065444A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | J·M·胡尔雷;M·威尔森;X·叶 | 申请（专利权）人： | 福莱金属公司 |
| 主分类号： | C08L61/10 | 分类号： | C08L61/10;C08L61/12;C08L63/00;C08L63/02;C08L63/04 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址： | 美国佐*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 非流动助熔底部填充剂，其具有含有酚类组分和酐组分的硬化剂组分，其中酚类组分与酐组分的摩尔比为大约0.1∶1至大约2∶1，或大约0.8∶1至大约1.2∶1。底部填充剂制备方法，包括将环氧组分与酚类组分掺合、加热该掺合物、并在掺入酐组分之前将该掺合物冷却。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子器件 低成洞性非 流动 底部 填充 | ||
【主权项】：
1.制备电子设备制造中所用的包含环氧组分、酐组分和酚类组分的底部填充剂组合物的方法，该方法包括：将环氧组分和至少大约80重量％的酚类组分掺合以产生环氧/酚类掺合物；将环氧/酚类掺合物加热至高于酚类组分的软化温度的温度；将环氧/酚类掺合物冷却；并将酐组分掺入该环氧/酚类掺合物以产生底部填充剂组合物。
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