[发明专利]具有增强散热性的半导体封装结构有效

专利信息
申请号: 200480044529.8 申请日: 2004-12-20
公开(公告)号: CN101073150A 公开(公告)日: 2007-11-14
发明(设计)人: 弗朗西斯·J·卡尔尼;迈克尔·J·瑟登;肯特·L·凯姆;梁龙年;李宇闻 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L23/433 分类号: H01L23/433;H01L23/31;H01L23/495
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 秦晨
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 在一示例性实施例中,一具有增强散热性的封装件包括一半导体芯片,所述半导体芯片包括一主载流电极或发热电极。所述半导体芯片的所述主载流电极面对所述封装件的顶部或远离下一级装配。所述封装件进一步包括一传导夹片和一散热件,所述传导夹片将所述主载流电极连接到下一级装配,所述散热件形成或集成在传导夹片上。散热件的一部分可选择性地外露。
搜索关键词: 具有 增强 散热 半导体 封装 结构
【主权项】:
1.一种半导体封装结构,包括:一电子芯片,其在第一表面上有一主载流电极;一传导连接结构,其连接到所述主载流电极上;一散热件,其集成了所述传导连接结构;以及一包封层,其覆盖了所述电子芯片的一部分、所述传导连接结构的一部分和所述散热件的至少一部分。
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