[发明专利]硅上锗中的光电探测器

摘要

本发明提供一种光电探测器结构(1、1′、1″)，包括：硅基波导(2)，其中待探测的光信号在给定方向(X)上传输，并被限制在其中；和锗层(4)，设置成与所述硅基波导(2)的一部分接触，使得在所述波导(2)中传输的光信号的逐渐消失的尾部耦合入所述锗层(4)中。此外，所述锗层(4)包括台面(10)，所述台面(10)具有沿信号传输方向(X)的长度(L)和沿基本上垂直于传输方向(X)的方向(Z)的宽度(W)，其中所述台面(10)的宽度(W)小于它的长度(L)。所述光电探测器(1、1′、1″)还包括第一(7)和第二金属接触件(9a、9b)，所述第一金属接触件(7)位于所述锗层(4)上，而所述第二金属接触件(9a、9b)位于所述硅基波导(2)上，所述第一和第二接触件用于收集由光吸收产生的电子以获得输出电信号。

主权项

1、一种光电探测器结构(1、1′、1″)，包括：硅基波导(2)，其中待探测的光信号在给定方向(X)上传输，并被限制在其中；锗层(4)，设置在所述硅基波导(2)的一部分上，使得在所述波导(2)中传输的光信号的逐渐消失的尾部耦合入所述锗层(4)中，所述锗层(4)包括台面(10)，所述台面(10)具有沿信号传输方向(X)的长度(L)和沿基本上垂直于所述传输方向(X)的方向(Z)的宽度(W)，其中所述台面(10)的宽度(W)小于它的长度(L)；第一(7)和第二金属接触件(9a、9b)，所述第一金属接触件(7)位于所述锗层(4)上，而所述第二金属接触件(9a、9b)位于所述硅基波导(2)上，所述第一和第二接触件用于收集由光吸收产生的电子以获得输出电信号。