[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200480044857.8 | 申请日： | 2004-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101111943A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 横井敦;中野正夫 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司;斯班逊日本有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/792;H01L21/8247;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种非易失性存储装置，在以一对扩散层(13A、13B)夹住的沟道区域上，依序层叠第1绝缘层(15)、电荷蓄积层(17)、第2绝缘层(19)，在第2绝缘层(19)上配置于沟道宽度方向的中间部具有缝隙(G1)而分离的两个控制栅极层(21A、21B)。于电荷蓄积层(17)具有离散的电荷捕获，使在层内的电荷移动受到限制。在电荷蓄积层(17)中，根据个别施加于控制栅极层(21A、21B)的写入电压而注入的电荷，可局限在施加写入电压的控制栅极层(21A、21B)下。能于各个控制栅极层(21A、21B)下的电荷蓄积区域控制电荷的有无，并可能朝存储体单元进行多值存储。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储装置，具备存储体单元，其中所述存储体单元包括：一对扩散层，以预定长度的沟道区域分隔而配置于基板表面；多个控制栅极层，在所述沟道区域上彼此分离而形成；以及电荷蓄积层，形成于所述控制栅极层和所述基板表面间且在各所述控制栅极层具有固有地使电荷注入及/或放出的区域。
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