[发明专利]薄膜晶体管与多晶硅层的制造方法无效
| 申请号： | 200510000163.0 | 申请日： | 2005-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1801467A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 张锡明 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/318;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 薛平 |
| 地址： | 台湾省台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管的制造方法，其包括在基板上形成非晶硅层。然后，形成氮等离子体，以在非晶硅层上形成氮化硅层。接着，将非晶硅层转变成多晶硅层。再图案化多晶硅层，以形成多晶硅岛状物。之后，在基板上形成栅绝缘层，并覆盖多晶硅岛状物。在栅绝缘层上形成栅极，其中栅极位于多晶硅岛状物上方。接下来，于栅极两侧下方之多晶硅岛状物内形成源极/漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 多晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征是包括：在基板上形成非晶硅层；形成氮等离子体，以在该非晶硅层表面上形成氮化硅层；将该非晶硅层转变成多晶硅层；图案化该多晶硅层，以形成多晶硅岛状物；在该基板上形成栅绝缘层，并覆盖该多晶硅岛状物；在该栅绝缘层上形成栅极，其中该栅极位于该多晶硅岛状物上方；以及于该栅极两侧下方之该多晶硅岛状物内形成源极/漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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