[发明专利]减少由电荷泵操作引起的噪声的CMOS图像传感器无效
| 申请号： | 200510000218.8 | 申请日： | 2005-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN1717002A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 柳沢诚;井上忠夫;船越纯 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H04N3/15 | 分类号： | H04N3/15;H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵淑萍 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于减少由电荷泵操作引起的噪声的CMOS图像传感器。本发明的CMOS图像传感器包括图像元素电路阵列、对阵列的一个图像元素行进行相关双采样的单元、向形成阵列的图像元素电路提供预定的被提升的电压的电荷泵型升压单元以及阻止由电荷泵型升压单元的泵浦操作引起的噪声的阻止单元。阻止单元可以是禁止电荷泵型升压单元的泵浦操作的禁止单元。在电荷泵型升压单元包括用于根据所分配的时钟分配升压输出的升压电路以及用于以升压输出与预定的被提升的电压相一致的方式生成时钟的时钟发生电路的情形中，禁止泵浦操作的禁止单元可以包括不向升压电路分配时钟发生电路的输出的不分配单元。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 电荷 操作 引起 噪声 cmos 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种互补金属氧化物半导体图像传感器，包括：图像元素电路阵列；对所述阵列的一个图像元素行进行相关双采样的相关双采样单元；电荷泵型升压单元，所述电荷泵型升压单元向形成所述阵列的所述图像元素电路提供预定的被提升的电压；和阻止单元，所述阻止单元阻止由所述电荷泵型升压电路的泵浦操作引起的噪声对所述相关双采样的影响。
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