[发明专利]新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管及其生产工艺

摘要

新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管的结构如下，中间媒介层层叠在生长衬底上，该中间媒介层的表面层是金属层，氮化镓基外延层层叠在该金属层上，氮化镓基外延层包括发光层，具有优化图形的第二电极层叠在氮化镓基外延层上，在预定区域蚀刻氮化镓基外延层直到该金属层暴露，第一电极层叠在该金属层的暴露区域上，因此，不但具有垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管的优点，例如，电流分布均匀，电流拥塞改善，电流密度增大，充分利用发光层的材料，光取出效率提高，而且不需要目前尚不成熟的剥离生长衬底等制造传统的垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管的工艺步骤。

主权项

1.一种新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管，其组成部分包括，但不限于：-生长衬底；-中间媒介层；其中，所述的中间媒介层层叠在生长衬底上；其中，所述的中间媒介层的表面层是金属层；-氮化镓基外延层；其中，所述的氮化镓基外延层层叠在所述的金属层上；其中，所述的氮化镓基外延层的一部分被蚀刻，所述的金属层的相应部分暴露；-第二电极；其中，所述的第二电极层叠在所述的氮化镓基外延层上；-第一电极；其中，所述的第一电极层叠在所述的金属层的暴露的部分上。