[发明专利]相变型多位准记忆胞及其操作方法有效
申请号: | 200510000395.6 | 申请日: | 2005-01-10 |
公开(公告)号: | CN1805167A | 公开(公告)日: | 2006-07-19 |
发明(设计)人: | 黄俊仁;赖二琨 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是关于一种相变型多位准记忆胞及其操作方法,该相变型多位准记忆胞,包括半导体基底、闸极结构、二源/汲极区,以及分别与此二源/汲极区电性连接的二相变储存单元。其中,任一相变储存单元可程式化为电阻值相异的多个相态之一,且此二相变储存单元的相态的多种组合可导致不同的记忆胞电流,而可对应2n个n位资料值(n≥2)。在程式化此记忆胞时,是分别使二相变储存单元的相态成为上述多个相态之一,以使该二相变储存单元的相态组合对应一预定资料值;而在读取时,则测量流经记忆胞的电流大小,以推知其所储存的资料值。 | ||
搜索关键词: | 相变 型多位准 记忆 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
1、一种相变型多位准记忆胞,其特征在于其包括:一半导体基底;一闸极结构,位于该基底上;二源/汲极区,在该闸极结构两侧的该基底中;以及二相变储存单元,分别与该二源/汲极区电性连接,其中,任一相变储存单元可程式化为电阻相异的多个相态之一,且该二相变储存单元的相态的组合可导致不同的记忆胞电流,而可对应2n个n位资料值(n≥2)。
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