[发明专利]高质量氮化物半导体薄膜及其制作方法

摘要

本发明涉及高质量氮化物半导体薄膜及其制作方法，根据本发明，在衬底上形成由电介质材料或金属材料制成的掩模材料膜图案，在制作氮化物半导体薄膜时在形成聚并之前去除该掩模材料膜图案，并且氮化物半导体薄膜再侧向制作。因此，本发明的优势在于能够制作具有空隙和较少缺陷的平面氮化物半导体薄膜。

主权项

1、一种制作高质量氮化物半导体薄膜的方法，包括：步骤1，在衬底上形成掩模材料膜，并蚀刻该掩模材料膜以形成暴露衬底上表面的某些部分的掩模材料膜图案；步骤2，在通过掩模材料膜图案暴露的衬底部分上制作氮化物半导体薄膜，并在氮化物半导体薄膜发生聚并之前停止氮化物半导体薄膜的制作，以便通过所制作的氮化物半导体薄膜暴露掩模材料膜图案；和步骤3，蚀刻并去除所暴露的掩模材料膜图案，并且继续侧向制作氮化物半导体薄膜以使得氮化物半导体薄膜发生聚并，从而形成具有平坦上表面和在掩模材料膜图案原先所在的区域形成的空隙的氮化物半导体薄膜产物。