[发明专利]在SOI上形成平面多栅极晶体管结构和其方法有效
| 申请号： | 200510001734.2 | 申请日： | 2005-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN1649171A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 杨富量;杨育佳;胡正明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马娅佳 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明为一种半导体元件，包括绝缘层、半导体层、第一晶体管与第二晶体管。半导体层位于绝缘层上。半导体层的第一部分具有第一厚度。半导体层的第二部分具有第二厚度。第二厚度大于第一厚度。第一晶体管具有由半导体层的第一部分形成的第一主动区。第二晶体管具有由半导体层的第二部分形成的第二主动区。举例来说，第一晶体管可以是平面型晶体管，而第二晶体管可以是多闸晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | soi 形成 平面 栅极 晶体管 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，至少包括：一绝缘层；一平面型晶体管，形成于一半导体层的一第一部分上，该半导体层的该第一部份位于该绝缘层上，以及该半导体层的该第一部份具有一第一厚度；以及一多闸晶体管，形成于该半导体层的一第二部分上，该半导体层的该第二部分位于该绝缘层上，该半导体层的该第二部分具有一第二厚度，以及该第二厚度大于该第一厚度。
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