[发明专利]升压电路、电源电路及液晶驱动装置

摘要

本发明公开了一种升压电路、电源电路以及液晶驱动装置，当进行电荷泵工作的MOS晶体管以三重势阱结构实现时，能够可靠抑制放电时过电流的产生。电荷泵电路(200)包括：MOS晶体管NSW1－NSW5，MOS晶体管NSW1的一端被提供有系统接地电源电压GND，各晶体管串联连接；以及第一－第五放电晶体管DSW1－DSW5，其一端被提供有系统接地电源电压GND，另一端连接在MOS晶体管NSW1－NSW5上。MOS晶体管NSW1－NSW5可以由形成在p型半导体衬底上的三重势阱结构来实现。在放电时，对第一－第五放电晶体管DSW1－DSW5一个一个地进行导通/截止控制，防止由于寄生双极性晶体管元件达林顿连接导致的电流通路的形成。

主权项

1.一种升压电路，其利用电荷泵工作积蓄到电容器上的电荷生成升压电压，其特征在于包括：第一-第N晶体管，各晶体管串联连接，用于进行电荷泵工作，所述第一晶体管的一端被提供有第一电压，其中，N为大于等于2的整数；以及第一-第N放电晶体管，用于使与所述第一-第N晶体管连接的电容器的电荷放电，各放电晶体管的一端被提供有放电电压，各放电晶体管的另一端连接在第K晶体管的源极侧或漏极侧上，其中，k为大于等于1且小于等于N的整数，其中，所述第一-第N晶体管，形成在第一导电型的第一-第N势阱区上，所述第一导电型的第一-第N势阱区设置在第一导电型的半导体衬底的第二导电型的势阱区上，用于所述第一-第N势阱区的反偏压被施加在所述第二导电型的势阱区上，所述第一-第N势阱区的各势阱区具有第二导电型的源极区和漏极区，所述第一-第N晶体管的各栅极通过绝缘膜设置在所述源极区和漏极区间的沟道区上，第一势阱区的源极区或漏极区被提供有所述第一电压的同时，第(m-1)势阱区的漏极区或源极区和第m势阱区的源极区或漏极区电连接，第N势阱区的漏极区或源极区的电压作为所述升压电压被输出，其中，m为大于等于2且小于等于N的整数，在进行放电工作时，所述第一-第N放电晶体管的各放电晶体管一个一个被设定为导通状态或非导通状态。