[发明专利]带电粒子束装置、控制方法、基板检查方法及半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 200510002635.6 | 申请日： | 2005-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1645548A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 长野修 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01J37/147 | 分类号： | H01J37/147;G03F7/20;H01L21/027;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种带电粒子束装置，其具备：生成带电粒子束的带电粒子束发生器；生成使上述带电粒子束在外部的基板上成像的透镜场的投影光学系统；围着上述带电粒子束的光轴地配置的偏转器，该偏转器生成对应于上述带电粒子束应入射上述基板的角度其强度在上述光轴方向上变化地形成的偏转场，该偏转场与上述透镜场重叠且使上述带电粒子束偏向并控制朝向上述基板照射的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 带电 粒子束 装置 控制 方法 检查 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种带电粒子束装置，其具备：生成带电粒子束的带电粒子束发生器；生成使上述带电粒子束在外部的基板上成像的透镜场的投影光学系统；围着上述带电粒子束的光轴地配置的偏转器，该偏转器生成对应于上述带电粒子束应入射上述基板的角度其强度在上述光轴方向上变化地形成的偏转场，该偏转场与上述透镜场重叠使上述带电粒子束偏转控制朝向上述基板照射的位置。
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