[发明专利]具有垂直结合薄膜光二极管的影像传感器及其制造方法

摘要

一种具有垂直结合薄膜光二极管的影像传感器。包括一包埋于一介电层中的薄膜光二极管的下掺杂层，其中该下掺杂层的下表面是完全接触于与其相对应的像素电极。PIN光二极管的下掺杂层是由一自我对准与一镶嵌制程制作，遂薄膜光二极管下方的像素电极不会露出I型非晶硅层。此外，透明电极是连接PIN光二极管与一通过一底垫的外部底电压，而该底垫为一上金属层的一部分。

主权项

1.一种具有垂直结合薄膜光二极管的影像传感器，包括：一衬底；一内联机结构，邻近该衬底，其中该内联机结构是包括一上金属层，该上金属层包含多个薄膜光二极管的第一金属垫以及一作为底垫的第二金属垫；一介电层，具有多个设置于该内联机结构上的第一开口与一第二开口；多个下掺杂层，具有一第一导电型，分别设置于所述多个第一开口中，其中每一下掺杂层接触相对应的第一金属垫且无延伸超过该相对应第一金属垫的表面；一I型层，设置于至少一下掺杂层与该介电层上；一上掺杂层，具有一第二导电型，设置于该I型层上；以及一透明电极，设置于该上掺杂层上并通过该介电层中的该第二开口接触该第二金属垫。