[发明专利]记忆胞无效
申请号: | 200510002852.5 | 申请日: | 2005-01-25 |
公开(公告)号: | CN1812104A | 公开(公告)日: | 2006-08-02 |
发明(设计)人: | 张国华 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是关于一种记忆胞,该记忆胞是由基底、穿隧介电层、电荷陷入层、闸间介电层以及金属闸极层所构成。其中,穿隧介电层是设置于基底上,其材质为氧化铝铪,电荷陷入层是设置于穿隧介电层上,闸间介电层是设置于电荷陷入层上,而金属闸极层则是设置于闸间介电层上。此种记忆胞可以解决漏电流的问题,且能够增加记忆胞的积集度,提高记忆胞程式化/抹除效率。 | ||
搜索关键词: | 记忆 | ||
【主权项】:
1、一种记忆胞,其特征在于其包括:一基底;一穿隧介电层,设置于该基底上,该穿隧介电层的材质包括氧化铝铪;一电荷陷入层,设置于该穿隧介电层上;一闸间介电层,设置于该电荷陷入层上;以及一金属闸极层,设置该闸间介电层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的