[发明专利]记忆胞无效

专利信息
申请号: 200510002852.5 申请日: 2005-01-25
公开(公告)号: CN1812104A 公开(公告)日: 2006-08-02
发明(设计)人: 张国华 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/10 分类号: H01L27/10
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是关于一种记忆胞,该记忆胞是由基底、穿隧介电层、电荷陷入层、闸间介电层以及金属闸极层所构成。其中,穿隧介电层是设置于基底上,其材质为氧化铝铪,电荷陷入层是设置于穿隧介电层上,闸间介电层是设置于电荷陷入层上,而金属闸极层则是设置于闸间介电层上。此种记忆胞可以解决漏电流的问题,且能够增加记忆胞的积集度,提高记忆胞程式化/抹除效率。
搜索关键词: 记忆
【主权项】:
1、一种记忆胞,其特征在于其包括:一基底;一穿隧介电层,设置于该基底上,该穿隧介电层的材质包括氧化铝铪;一电荷陷入层,设置于该穿隧介电层上;一闸间介电层,设置于该电荷陷入层上;以及一金属闸极层,设置该闸间介电层上。
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