[发明专利]具有逆行井的高电压元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510002854.4 | 申请日： | 2005-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN1713394A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 吴国铭;吴成堡;柳瑞兴;许顺良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种具有逆行井的高电压元件及其制造方法。该高电压元件至少包括：一基材；一闸极区形成于基材上；以及一逆行井位于基材中且紧邻闸极区。其制造方法包括如下步骤：形成第一型的一基材；形成一闸极区位于该基材上；形成第一型的一深井；形成一源极区直接位于该深井中；形成第二型的至少一逆行井于该基材中，其中该逆行井与该源极区分别位于该闸极区的相对侧；以及形成一掺杂区于该逆行井中，其中该逆行井形成一汲极延伸，且该汲极延伸具有一较低掺质浓度朝向该基材的表面。逆行井可降低基材的表面上的掺质浓度，因此可减轻对闸极区的损害。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 逆行 电压 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高电压晶体管元件，其特征在于其至少包括：一闸极区形成于一基材上；以及一汲极区具有至少一逆行井，其中该逆行井位于该基材中且紧邻于该闸极区，其中该逆行井降低该基材的表面附近的一掺质浓度。
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