[发明专利]半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 200510002925.0 申请日: 2005-01-26
公开(公告)号: CN1649125A 公开(公告)日: 2005-08-03
发明(设计)人: 尾本诚一;坚田富夫;东和幸;山口人美;江泽弘和;坂田敦子 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L21/28;H01L21/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 陈海红;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体器件的制造方法,其可以改善带有阻挡金属膜的Cu膜的可靠性以及电气特性等,同时,可以高效并容易地制造提高了可靠性以及电气特性等的半导体器件。在形成于基板(1)上的凹部(5)内,依次地叠层设置第1阻挡金属膜(6)、第2阻挡金属膜(7)和第3阻挡金属膜(8)。各阻挡金属膜(6)、(7)、(8)分别包含属于4-A族、5-A族和6-A族中任一族的至少一种金属元素。第2阻挡金属膜(7)通过CVD法和ALD法中至少一方的方法形成。在不朝大气开放的状态下在第3阻挡金属膜(8)上设置Cu膜(9)、(10)而埋入凹部(5)。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,在设置于基板上的至少1层绝缘膜中形成的凹部内,通过PVD法设置包含属于4-A族、5-A族和6-A族中任一族的至少一种金属元素的第1阻挡金属膜,在所述第1阻挡金属膜上,通过CVD法和ALD法中至少一方的方法在不朝大气开放的状态下连续地设置包含属于4-A族、5-A族和6-A族中任一族的至少一种金属元素的第2阻挡金属膜,在所述第2阻挡金属膜上,通过PVD法在不朝大气开放的状态下连续地设置包含属于4-A族、5-A族和6-A族中任一族的至少一种金属元素的第3阻挡金属膜,在所述第3阻挡金属膜上在不朝大气开放的状态下连续地设置第1Cu膜,对所述第1Cu膜进行加热处理。
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