[发明专利]一种多晶硅栅刻蚀终点的检测方法及检测装置有效
申请号: | 200510002964.0 | 申请日: | 2005-01-27 |
公开(公告)号: | CN1812066A | 公开(公告)日: | 2006-08-02 |
发明(设计)人: | 许仕龙 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郑立明 |
地址: | 100016北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明所述的一种多晶硅栅刻蚀终点的检测方法及检测装置,根据刻蚀过程分的四个阶段,采用不同的终点检测方式。偏压补偿终点检测对较低刻蚀选择比的刻蚀过程进行预报终点,合理利用该方法的灵敏特性,保证了在刻蚀临近栅氧前对该氧化层的提前保护。为了有效进行多晶刻蚀,通过对OES终点检测方法,检测具有很高选择比的刻蚀过程,这样既保证了多晶硅的充分刻蚀,又有效保护了栅氧层。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 刻蚀 终点 检测 方法 装置 | ||
【主权项】:
1、一种多晶硅栅刻蚀终点的检测方法,其特征在于,包括:A、获得多晶硅栅刻蚀过程中静电卡盘的偏压补偿功率变化信息;B、根据所述的偏压补偿功率变化信息,确定多晶硅栅刻蚀过程进入刻蚀终点期;C、采集获取多晶硅栅刻蚀腔中的特定波长信号强度变化信息;D、根据所述的特定波长信号强度变化信息,在所述刻蚀终点期内确定多晶硅栅刻蚀终点。
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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