[发明专利]阻障层及其制造方法无效
| 申请号： | 200510002983.3 | 申请日： | 2005-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN1755914A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 黄震麟;谢静华;眭晓林 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种阻障层及其制造方法。该阻障层材质主要包括钽(Ta)、钨(W)、钛(Ti)、钌(Ru)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、铬(Cr)或是钼(Mo)等成分，且使用的反应气体为氧、氮或是碳，其中反应气体的组成与该阻障层的材质的比值约大于或是等于0.45。主要是施加介于0.5至200mTorr的工作压力来制造该阻障层，避免形成结晶的结构。本发明的提出的阻障层及其制造方法是利用较大的工作压力，使阻障层与介层窗或是接触洞形成共形的结构，使得后续的金属沉积制程可完全地将金属材质填入介层窗或是接触洞中，而不会形成空孔，从而更加适于实用，且具有产业上广泛利用的价值。 | ||
| 搜索关键词： | 阻障 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种阻障层的制造方法，其特征在于其包含施加介于0.5至200mTorr的工作压力来形成该阻障层，以避免在该阻障层中形成结晶。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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