[发明专利]一种分离和富集回收四氯化硅的工艺技术无效
| 申请号： | 200510003081.1 | 申请日： | 2005-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1868875A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 田元江;余家华;陈天祥;王宁;章平;谭红;刘洪贵;程代松;袁继维;李惠文;何锦林;张文忠;龚仕成;覃岗;王大霞 | 申请（专利权）人： | 贵州省材料技术创新基地;中国科学院地球化学研究所;遵义钛业股份有限公司;贵州大学 |
| 主分类号： | C01B33/08 | 分类号： | C01B33/08;C01B9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 550002贵州省贵阳市南明区宝*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明是一种从精制四氯化钛产生的含四氯化钛、四氯化硅及碳、硫的氯化物等众多杂质的低沸点粗四氯化钛混合物中分离和富集回收四氯化硅的工艺技术。采用四氯化钛/四氯化硅为关键组分系的不对称分馏和中间关键组分切割分馏工艺，控制塔身和塔顶温度，可将四氯化硅含量为0.3～20％的低沸点混合物分离和富集回收，得到含量为90％以上的四氯化硅，并同时解决了精制四氯化钛生产中四氯化硅的排放污染问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分离 富集 回收 氯化 工艺技术 | ||
【主权项】：
1、一种分离和富集回收四氯化硅的工艺技术，其特征在于所用原料为精制四氯化钛产生的含四氯化硅、四氯化碳、二硫化碳、二氯化硫等众多杂质的低沸点混合物，采用四氯化钛/四氯化硅为关键组分系的不对称分馏和中间关键组分切割分馏工艺，工艺参数控制为：回流比为3～25∶1；蒸馏釜内温度为110～136℃，分馏塔控制温度为32～56℃，冷凝器冷凝水温度低于15℃，尾凝器的冷却水温度低于5℃。
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