[发明专利]光刻设备及器件制造方法有效

专利信息
申请号: 200510003548.2 申请日: 2005-12-23
公开(公告)号: CN1797207A 公开(公告)日: 2006-07-05
发明(设计)人: P·A·J·蒂内曼斯;J·J·M·巴塞曼斯;L·C·乔里特斯马 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/027
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨凯;梁永
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 一种光刻设备包括投射系统和单独可控单元阵列,所述投射系统配置成将辐射束以子辐射束阵列的形式投射到衬底上;所述单独可控单元阵列配置成调制子辐射束。所述设备还包括包含至少一个数据变换装置的数据路径,所述数据变换装置配置成至少部分将确定所需图案的数据转换成适合于控制单独可控单元阵列的控制信号,以便在衬底上实际地形成所需图案。所述数据变换装置配置成通过把点扩展函数矩阵的伪反演形式应用于表示所需图案的列矢量来实现所述转换。点扩展函数矩阵包括有关每一个光点的点扩展函数的形状和相对位置的信息,所述光点在给定时间由子辐射束之一曝光在衬底上。
搜索关键词: 光刻 设备 器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种光刻设备,它包括:投射系统,它配置成将辐射束以子辐射束阵列的形式投射到衬底上;单独可控单元阵列,它配置成调制所述子辐射束;以及包括至少一个数据变换装置的数据路径,所述至少一个数据变换装置配置成至少部分地将确定所需图案的数据转换成适合控制所述单独可控单元阵列的控制信号,以便在所述衬底上实际地成所述所需图案,其中,所述至少一个数据变换装置配置成通过将点扩展函数矩阵的伪反演形式应用于表示所述所需图案的列矢量来实现所述转换,所述点扩展函数矩阵包括有关斑点的点扩展函数的形状和相对位置的信息,所述斑点在给定时间由所述子辐射束之一在衬底上曝光。
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