[发明专利]具有阶梯栅的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510003583.4 | 申请日： | 2005-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1822387A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 郑台愚;吴尚源 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨红梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 半导体器件，包括：基片，包括第一有源区以及具有比所述第一有源区更高的高度的第二有源区；栅图案，具有阶梯结构，其形成于所述第一有源区和所述第二有源区之间的边界区上；所述栅图案从所述第一有源区的预定部分延伸到所述第二有源区的预定部分；栅间隔物，形成于所述栅图案的两个侧壁上；第一单元结，形成于一个栅间隔物处的所述第一有源区中，并连接到存储节点接触；第二单元结，形成于另一栅间隔物处的所述第二有源区中，并连接到位线接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阶梯 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：基片，包括第一有源区以及具有比所述第一有源区更高的高度的第二有源区；栅图案，具有阶梯结构，其形成于所述第一有源区和所述第二有源区之间的边界区上，其中所述栅图案从所述第一有源区的预定部分延伸到所述第二有源区的预定部分；栅间隔物，形成于所述栅图案的两个侧壁上；第一单元结，形成于一个栅间隔物处的所述第一有源区中，并连接到存储节点接触；以及第二单元结，形成于另一栅间隔物处的所述第二有源区中，并连接到位线接触。
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