[发明专利]闪存系统及其擦除方法无效

专利信息
申请号: 200510003633.9 申请日: 2005-01-10
公开(公告)号: CN1767066A 公开(公告)日: 2006-05-03
发明(设计)人: 张承镐 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C16/02 分类号: G11C16/02;G11C16/14
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 黄小临;王志森
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及一种闪存系统及其擦除方法,在该闪存系统中,将存储在用作主存储器的闪存中的要擦除数据存储在用作擦除信息存储器的闪存中,首先擦除存储在用作主存储器的闪存中的要擦除数据,然后再擦除存储在用作擦除信息存储器的闪存中的要擦除数据。根据本发明,执行两次擦除命令,而不像数据立刻被擦除的现有闪存系统。因此,当存储数据时,可防止数据因失误而被擦除。
搜索关键词: 闪存 系统 及其 擦除 方法
【主权项】:
1.一种闪存系统的擦除方法,该闪存系统包括至少一个用作主存储器的闪存、至少一个用作擦除信息存储器的闪存、以及用于控制用作主存储器的闪存和用作擦除信息存储器的闪存的控制器,所述方法包括下列步骤:(a)请求对用作主存储器的闪存的用于暂时擦除数据的暂时擦除命令;(b)确定用作擦除信息存储器的闪存中是否存在可存储数据的空闲空间;(c)如果确定用作擦除信息存储器的闪存中存在空闲空间,则将存储在用作主存储器的闪存中的要擦除数据存储在用作擦除信息存储器的闪存中;(d)首先擦除存储在用作主存储器的闪存中的要擦除数据;(e)请求对用作擦除信息存储器的闪存的用于完全擦除数据的完全擦除命令;以及(f)再完全擦除存储在用作擦除信息存储器的闪存中的要擦除数据。
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