[发明专利]无应力浅沟渠隔离结构的形成方法无效
| 申请号： | 200510003656.X | 申请日： | 2005-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN1801473A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 邱文斌 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成无应力浅沟渠隔离(shallow trenchisolation，STI)结构的方法，于浅沟渠隔离结构的沟渠表面沉积一非晶硅层，并以高温氧化的方式将非晶硅层氧化为二氧化硅层，以作为沟渠的衬底氧化层。此种衬底氧化层整体的厚度皆会一致，利用此特性可避免因厚度不一致所产生的应力，进而防止半导体元件间的漏电流现象。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 沟渠 隔离 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种于一衬底上制作无应力浅沟渠隔离结构的方法，包含：形成一垫氧化层于该衬底上；沉积一掩模层于该垫氧化层上；涂布一光致抗蚀剂于该掩模层上；移除未受该光致抗蚀剂所覆盖的该掩模层及该垫氧化层；移除未受该掩模层及该垫氧化层所覆盖的该衬底，以形成一沟渠；沉积一非晶硅层于该沟渠与该掩模层的表面；氧化该非晶硅层，以得到一衬底氧化层；沉积一填补层于该沟渠中与该衬底氧化层的表面；移除较该掩模层为高的该衬底氧化层与该填补层；以及移除该掩模层、该垫氧化层以及较该衬底为高的该填补层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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