[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510003726.1 | 申请日： | 2005-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1638126A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 桧山薰;佐贯朋也;藤井修 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在同一衬底上边形成了CMOS器件等和存储器等的情况下，提高CMOS器件的载流子迁移率，而且防止存储器的可靠性因漏电流而降低。本发明的半导体器件包括：具有第1区域和与上述第1区域相邻的第2区域、且在表面上具有第1硅层的衬底；设置在上述第1区域的上述第1硅层的上边的第2硅层；具有比上述第2硅层大的晶格常数，设置在上述第2区域的上述第1硅层的上边的缓和层；以及具有与上述缓和层大致相同的晶格常数、设置在上述缓和层的上边的应变硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：具有第1区域和与上述第1区域相邻的第2区域、且表面上具有第1硅层的衬底；设置在上述第1区域的上述第1硅层的上边的第2硅层；具有比上述第2硅层大的晶格常数，设置在上述第2区域的上述第1硅层的上边的缓和层；以及具有与上述缓和层大致相同的晶格常数、设置在上述缓和层的上边的应变硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
