[发明专利]制备GaN晶体衬底的方法无效
| 申请号： | 200510003830.0 | 申请日： | 2005-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN1645567A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 冈久拓司 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/205;H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备GaN晶体衬底的方法，该方法抑制在GaN晶体生长中的凹坑尺寸的增大以便制备具有高的衬底获得率的GaN晶体衬底。该制备GaN晶体衬底的方法包括通过气相生长技术在生长衬底(1)上生长GaN晶体(4)的步骤，所述GaN晶体衬底的制备方法的特征在于：在所述生长GaN晶体的步骤中，在晶体生长表面形成限定刻面平面(5F)的凹坑(6)，且特征在于，凹坑的凹坑尺寸增大因子为20％或以下。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 gan 晶体 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备GaN晶体衬底的方法，所述方法包括通过气相生长技术在生长衬底上生长GaN晶体的步骤，所述制备GaN晶体衬底的方法的特征在于：在所述生长GaN晶体的步骤中，在晶体生长表面形成刻面平面限定凹坑；和凹坑的凹坑尺寸增大因子为20％或以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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