[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200510003870.5 | 申请日： | 2005-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN1674236A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 林泰政;朴相昱 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/311;C23F1/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，使用一系列氮化物膜的硬掩蔽膜作为蚀刻掩模形成一微小的图案，在执行硬掩蔽膜移除工序前，添加一使用氧化物蚀刻剂执行既定蚀刻的步骤以移除氮化物膜上的异常氧化膜。因此可能有效地移除硬掩蔽膜。利用HF与NH4F的组分比以及蚀刻温度均得到优化的BOE作为氧化膜蚀刻剂，还可有效地防止硬掩蔽膜下的图案中生成孔隙。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，其包括步骤：在一图案膜上形成一系列氮化物膜的硬掩蔽膜，其可容易地与氧化膜蚀刻剂起化学反应；图案化所述硬掩蔽膜且接着使用已图案化的硬掩蔽膜作为蚀刻掩模执行一蚀刻工序以蚀刻图案膜；使用HF与NH4F所混合的一BOE溶液执行一蚀刻工序以移除形成在硬掩蔽膜上的自然氧化膜，其中避免了在硬掩蔽膜之下的图案膜的一部分中形成孔隙；和执行一磷酸汲出过程以移除所述硬掩蔽膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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