[发明专利]半导体器件及其制备方法

摘要

集电区(102)上形成有起基区之作用且由i－Si_1－xGe_x层和P⁺Si_1－xGe_x层构成的Si_1－xGe_x层(111b)，且在P⁺Si_1－xGe_x层上设置会成为发射区的Si覆盖层(111a)。在基区开口部分(118)内Si覆盖层(111a)之上形成有发射区引出电极(129)，它又包括形成在含有其浓度在它在单晶硅中的固溶度以下的磷的N^－多晶硅层(129b)和含有高浓度磷的N⁺多晶硅层(129a)。抑制了高浓度的磷(P)过分地掺杂到Si覆盖层(111a)中，而将基区层内杂质的浓度分布维持得很合适。Si覆盖层(111a)的上部可含有P型杂质。NPN型双极晶体管中基区层内的P型杂质的浓度分布被维持得很合适。

主权项

1、一种半导体器件，它包括：含有起集电区之作用的N型第一单晶半导体层的衬底；形成在所述第一单晶半导体层上、含有P型杂质且起基区之作用的P型第二单晶半导体层；及形成在所述第二单晶半导体层上、其上部起发射区之作用的并由Si构成的第三单晶半导体层；所述第三单晶半导体层中起发射区之作用的上部含有P型杂质以及N型杂质，所述上部含有的P型杂质的浓度高于所述第二单晶半导体层中含有的P型杂质的浓度，所述上部含有的N型杂质的浓度高于所述上部含有的P型杂质的浓度。