[发明专利]具有层叠的节点接触结构的半导体集成电路及其制造方法

摘要

提供了一种包括薄膜晶体管(TFT)的半导体集成电路及制造这种半导体集成电路的方法。该半导体集成电路可以包括在半导体衬底形成的体晶体管和体晶体管上的第一层间绝缘层。下TFT可以在第一层间绝缘层上，以及第二层间绝缘层可以在下TFT上。上TFT可以在第二层间绝缘层上，以及第三层间绝缘层可以在上TFT上。体晶体管的第一杂质区、下TFT的第一杂质区以及上TFT的第一杂质区可以通过穿透第一、第二和第三层间绝缘层的节点栓塞相互电连接。

主权项

1、一种集成电路，包括：在半导体衬底处形成的、具有第一和第二杂质区的第一晶体管；第一晶体管上的第一层间绝缘层；在与第一晶体管相对的第一层间绝缘层上、具有第一和第二杂质区的第二晶体管；在与第一层间绝缘层相对的第二晶体管上的第二层间绝缘层；在与第二晶体管相对的第二层间绝缘层上、具有第一和第二杂质区的第三晶体管；在与第二层间绝缘层相对的第三晶体管上的第三层间绝缘层；以及穿透第一、第二和第三层间绝缘层使第一晶体管的第一杂质区、第二晶体管的第一杂质区以及第三晶体管的第一杂质区相互电连接的节点栓塞。