[发明专利]半导体装置的可靠性仿真方法

摘要

新生成高精度的衬底电流模型，设I_d、V_ds、V_dsat分别是上述MOS晶体管的漏极电流、漏极电压、饱和漏极电压，l_c是特性长，A_i是模型参数，B_i是规定的常数，当采用以I_sub＝(A_i/B_i)·(V_ds－V_dsat)·I_d·exp(－B_i·l_c/(V_ds－V_dsat)表示的衬底电流模型公式计算上述的衬底电流I_sub时，令所述特性长l_c为所述MOS晶体管的栅漏间电压V_gd的一次式的函数l_c＝l_c[l_c0+l_c1·V_gd]，其中：V_gd＝V_gs－V_ds，V_gs是MOS晶体管的栅电压；所述V_gd的一次式为(l_c0+l_c1·V_gd)，其中l_c0、l_c1分别是模型参数。通过使用该模型，实现高精度的、应用范围广泛的热载流子退化仿真。

主权项

1、一种半导体装置的可靠性仿真方法，基于构成半导体装置的MOS晶体管的衬底电流Isub的预测值，进行上述的半导体装置的可靠性仿真，其特征在于：设Id、Vds、Vdsat分别是上述MOS晶体管的漏极电流、漏极电压、饱和漏极电压，lc是特性长，Ai是模型参数，Bi是规定的常数，当采用以Isub＝(Ai/Bi)·(Vds-Vdsat)·Id·exp(-Bi·lc/(Vds-Vdsat))表示的衬底电流模型公式计算上述的衬底电流Isub时，令所述特性长lc为所述MOS晶体管的栅漏间电压Vgd的一次式的函数lc＝lc[lc0+lc1·Vgd]，其中：Vgd＝Vgs-Vds，Vgs是MOS晶体管的栅电压；所述Vgd的一次式为(lc0+lc1·Vgd)，其中lc0、lc1分别是模型参数。