[发明专利]采用簇形纳米管阵列检测通孔的电子束检验设备与方法无效
| 申请号： | 200510004015.6 | 申请日： | 2005-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1645549A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 尹英智;全忠森;全相文 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/26 | 分类号： | H01J37/26;H01L21/66;G01R31/307 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 电子束发生器具有宽区域与定向射束生成能力。发生器包括以相互间隔和对置的关系设置的阳极电极和阴极电极。提供簇形碳纳米管阵列以支持宽区域与定向射束生成。簇形纳米管阵列在阳极电极和阴极电极之间伸展。纳米管阵列在其上也有在与阴极电极的主平面对置处伸展的宽区域发射面。簇形纳米管阵列被配置成其中的纳米管为电子从阴极电极通过发射面流向阳极电极提供导电通道。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 纳米 阵列 检测 电子束 检验 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子束发生器，包括：以相互间隔与对置的关系配置的阳极电极和阴极电极；和在所述阳极电极和阴极电极之间伸展、并具有在它们上面在与阳极电极主表面的对置处伸展的发射表面的簇形纳米管阵列，该簇形纳米管阵列被配置为使得其中的纳米管为电子从阴极电极经过发射面流向阳极电极提供导电通道。
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