[发明专利]磁存储器件无效
| 申请号： | 200510004048.0 | 申请日： | 2005-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN1637928A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | T·C·安东尼;F·A·佩尔纳;H·李 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;梁永 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种磁随机存取存储器件(MRAM)(100，200，300)，它包括在磁场作用下在两个状态之间转换的磁存储单元(102，202，302)。MRAM还包括电位线(104，212，312)，它连接到所述磁存储单元(102，202，302)，用以产生磁场。电位线(104，212，312)包括导电元件(110，214，314)和用于将与所述磁场关联的磁通量引向磁存储单元(102，202，302)的磁性元件(112，216，316)。绝热体(114，218，318)位于导电部分(110，21，314)和磁存储单元(102，202，302)之间，并且磁性元件(112，216，316)具有至少一个从导电元件(110，214，314)延伸到磁存储单元(102，202，302)的引导部分，以便引导绝热体(114，218，318)的至少一部分周围的磁通量。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁随机存取存储器件(MRAM)(100，200，300)，它包括：磁存储单元(102，202，302)，它可以在磁场作用下在两个状态之间转换；电位线(104，212，312)，它连接到所述磁存储单元(102，202，302)，用以产生所述磁场，所述电位线(104，212，312)包括导电元件(110，214，314)和用于将与所述磁场关联的磁通量引向所述磁存储单元(102，202，302)的磁性元件(112，216，316)；绝热体(114，218，318)，它设置在所述导电部分(110，214，314)和所述磁存储单元(102，202，302)之间，并且所述磁性元件(112，216，316)具有至少一个引导部分，所述至少一个引导部分从所述导电元件(110，214，314)延伸到所述磁存储单元(102，202，302)以便引导所述绝热体的至少一部分周围(114，218，318)的磁通量。
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