[发明专利]液晶显示装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200510004116.3 | 申请日： | 2005-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1629708A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 彭佳添 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/133;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李瑞海;王景刚 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种液晶显示装置的制造方法及该方法制成的液晶显示装置。该液晶显示装置制造方法包括：首先，在一基板上形成非晶硅层，其中该非晶硅层包括第一部分及第二部分；接着，在所述非晶硅层的第一部分上形成光反射层；接着，以激光照射该非晶硅层以将该非晶硅层转化成多晶硅层，而该光反射层反射部分照射于第一部分的光，导致该多晶硅层的第一部分具有第一多晶硅晶粒尺寸，而该多晶硅层的第二部分具有第二多晶硅晶粒尺寸，其中该第二多晶硅晶粒尺寸大于该第一多晶硅晶粒尺寸。当利用该多晶硅层的第一部分形成多个第一薄膜晶体管时，该第一薄膜晶体管具有较低的漏电流特性。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种液晶显示装置的制造方法，包括以下步骤：提供一基板；在该基板之上形成非晶硅层，其中该非晶硅层包括第一区域及第二区域；在该非晶硅层的第一区域上形成光反射层；用一光源照射该非晶硅层以将该非晶硅层转化成多晶硅层，其中，位于该非晶硅层的第一区域上的光反射层反射部分照射于该非晶硅层的第一区域的光，使得该非晶硅层的第一区域转化成第一多晶硅层，而该非晶硅层的第二区域转化成第二多晶硅层，其中，该第二多晶硅层的晶粒尺寸大于该第一多晶硅层的晶粒尺寸；以及在所述第一多晶硅层上形成多个第一型薄膜晶体管。
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