[发明专利]多层陶瓷电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 200510004129.0 | 申请日： | 2005-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN1637972A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 中野幸惠;宫内真理;佐藤阳 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目标在于通过消除介电层中的氧空位和抑制Ni内部电极的氧化来提供一种具有高介电常数、高电容和极好可靠性的多层陶瓷电容器。该多层陶瓷电容器包括通过交替堆叠主要含钡的钛酸盐的介电层和主要含Ni的内部电极层而形成的多层介电体，并且在电容器中存在含有Mg－Si－O作为组成元素的第一异相。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 陶瓷 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多层陶瓷电容器，包括通过交替堆叠主要含钡的钛酸盐的介电层和主要含Ni的内部电极层而形成的多层介电体，其中，存在含有Mg-Si-O作为组成成分的第一异相。
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